Share:


Investigation of impact of the gate circuitry on IGBT transistor dynamic parameters

Abstract

The impact of Insulated Gate Bipolar Transistor driver circuit parameters on the rise and fall time of the collector current and voltage collector-emitter was investigated. The influence of transistor driver circuit parameters on heating of Insulated Gate Bipolar Transistors was investigated as well.


Article in Lithuanian.


Valdymo grandinių įtakos IGBT tranzistoriaus dinaminiams parametrams tyrimas


Santrauka. Ištirta dvipolių tranzistorių su izoliuota užtūra (IGBT angl. Insulated Gate Bipolar Transistor) valdymo grandinių parametrų įtaka tranzistorių kolektoriaus srovės ir kolektoriaus-emiterio įtampos frontų trukmei, tranzistoriui atsidarant ir užsidarant. Ištirta grandinių parametrų įtaka IGBT tranzistorių modulio, naudojamo inverteryje, šilimui.


Reikšminiai žodžiai: IGBT tranzistorius, dinaminiai parametrai, inverteris, dažnio keitiklis, asinchroninis variklis.

Keyword : IGBT transistor, dynamic parameters, inverter, frequency converter, AC induction motor

How to Cite
Bleizgys, V., & Platakis, A. (2010). Investigation of impact of the gate circuitry on IGBT transistor dynamic parameters. Mokslas – Lietuvos Ateitis / Science – Future of Lithuania, 2(1), 59-62. https://doi.org/10.3846/mla.2010.013
Published in Issue
Feb 28, 2010
Abstract Views
232
PDF Downloads
268
Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.